Авторизация
 
  • 03:04 – "Дом-2" новости и слухи сегодня, 09.12.2016: на 6 дней раньше скандальные новости и сплетни "Дом-2" 9 декабря 
  • 03:04 – Гороскоп на сегодня, 9 декабря 2016, для всех знаков Зодиака: точный гороскоп для каждого знака 09.12.2016 
  • 03:04 – Сирия 9 декабря 2016: новости сегодня, сводки Алеппо и карта сейчас, 9 декабря, обзор военных действий в Сирии 09.12.2016, за последний час новости о войне в Сирии 
  • 03:04 – Новороссия 9 декабря 2016: новости сегодня, сводки ополчения Новороссии, последние новости Донецка 09.12.2016, обстановка в ДНР и ЛНР на сегодня, обзор боевых действий в Донбассе 9 декабря 


Новая методика приблизит создание крупных гибких солнечных батарей

108.162.219.114Специалисты университета штата Пенсильвания разработали новый способ производства под высоким давлением больших листов тонкой пленки кремниевых полупроводников. Материал получают при низких температурах и в результате простых, в сравнении с существующими методиками, реакций.

Технология была подробно описана в статье Advanced Materials, опубликованной 13 мая.

«Мы разработали новую высоконапорную методику создания больших листов полупроводниковой пленки без использования плазмы», — сказал профессор Джон Баддинг – глава исследовательской команды. – «Проводя процесс под высоким давлением, мы получаем более простую и дешевую технологию производства материала, используемого в плоских мониторах и солнечных батареях».

Обычно кремниевые пленочные полупроводники получают путем химического вакуумного осаждения. Силан – газ, состоящий из кремния и водорода, проходит реакцию, при которой атомы этих веществ осаждаются тонким слоем на поверхности. Чтобы получился работоспособный полупроводник, этот процесс должен протекать при низких температурах. Тогда атомы водорода остаются в покрытии, а не испаряются. В существующих методиках для этого создается плазма, для получения которой используют массивные, дорогие реакторы и требуются большие объемы газа.

Новая технология позволяет проводить низкотемпературные реакции в меньшем пространстве. Для них также необходим меньший объем газа. Изменения впервые позволили создавать полупроводники одновременно на нескольких, уложенных штабелем поверхностях. Для увеличения обрабатываемой площади может использоваться гибкий, скатываемый в рулон материал, проходящий через простой, более компактный реактор. Размер готового изделия при дальнейшем развитии технологии способен достичь 1 кв. км.

Источник: gazeta.kg108.162.219.114


Постоянный адрес материала: http://www.gazeta.kg/80370-news.html
Если Вы заметите ошибку в тексте, выделите её и нажмите Ctrl+Enter, чтобы отослать информацию редактору.

Смотрите также

КОММЕНТАРИИ:
Мы в соцсетях
Курсы валют НБКР
69.2455
+0.09%
74.7055
+0.67%
1.0924
+0.91%
0.2069
+0.53%

Новости партнеров
  • Читаемое
  • Сегодня
  • Комментируют
Мы в соцсетях
  • Facebook
  • Twitter
  • Вконтакте
Новости партнеров